今年中旬，全球晶圆代工龙头台积电已正式证实，将在未来两年内逐步退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务，其位于新竹科学园区的相关产线已停止生产。这一决定不仅牵动着产业链上下游，更让主要客户纳微半导体（Navitas）的产能转移计划浮出水面 —— 该公司已宣布与力积电扩大合作，承接其 GaN 产品代工订单，引发业界对第三代半导体市场格局的广泛关注。

7月1日，纳微半导体公布了一份8-K文件，其中提到，“在获悉公司唯一的氮化镓晶圆供应商台积电将于 2027 年 7 月停止 GaN 生产后，纳微将继续计划实现氮化镓晶圆供应来源多元化。（Navitas will continue plans to diversify its sources of GaN wafers after being informed that Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC), the Company’s sole source of GaN wafers, will end GaN production in July 2027）

作为长期合作的核心客户，Navitas 已与力积电达成战略合作伙伴关系，计划将 100V 至 650V 的 GaN 产品组合交由后者生产。其中，650V 产品将在未来 12 至 24 个月内从台积电完全转至力积电，100V 系列则计划于 2026 年上半年在力积电投产，首批器件预计 2025 年第四季度完成认证。

力积电方面表示，将依托其 0.18 微米 CMOS 制程能力，在 8 英寸产线上生产硅基氮化镓产品，目标实现更高功率密度、速度与效率，并提升成本控制与制造良率。此次合作的产品将主要满足 48V 基础设施（如超大型 AI 数据中心）及电动车的需求，与 Navitas 在 AI、新能源领域的布局高度契合。

值得注意的是，除 Navitas 外，曾与台积电合作的 GaN Systems、意法半导体、罗姆半导体等企业，未来也可能面临产能调整需求。

11月10日，格芯（GlobalFoundries）宣布与台积电（TSMC）签署技术授权协议，获准使用台积电的650 V与80 V氮化镓（GaN）技术。该授权旨在帮助格芯加速在美国本土推出面向数据中心、工业以及汽车市场的全新GaN电源产品组合，开发时间定于2026年初，生产将于今年晚些时候开始。

格芯将在其位于佛蒙特州伯灵顿的制造工厂对获得许可的氮化镓技术进行鉴定，利用该工厂在高压硅基氮化镓技术方面的专业知识，为寻求下一代功率器件的客户加快量产速度。据了解，格芯正在开发全面的氮化镓产品组合，包括高性能650V和80V技术，旨在支持电动汽车、数据中心、可再生能源系统和快速充电电子设备。

GlobalFoundries 电源业务高级副总裁TéaWilliams表示：“随着这项经过验证的氮化镓技术的加入，我们将加快下一代氮化镓芯片的开发，并提供差异化的解决方案，以解决从数据中心、汽车到工厂车间等关键任务应用的关键电源缺口。”GaN属于宽禁带半导体，电子迁移速度快、开关频率高，导致开关损耗仅为硅器件的十分之一左右。随着AI训练、云计算以及电动汽车对高功率、高效率电源的需求快速增长，传统硅基功率器件已难以满足功率密度和能效的双重挑战，GaN逐渐成为成为数据中心、工业电源和车载充电系统的关键技术。

格芯获台积电GaN授权，聚焦美国本土相关市场产品布局；而数据中心领域，英伟达10月也围绕GaN技术展开行动，发挥其重要潜力。10月，英伟达在官网发布题为《构建800伏直流电生态系统，打造高效可扩展的AI工厂》的技术文章，并同步更新了其800V系统的供应商名单。该名单包括了英飞凌、安森美、意法半导体、德州仪器、罗姆等功率半导体厂商，也包括全球领先的氮化镓厂商-英诺赛科。

值得注意的是，2025年11月6日，罗姆ROHM举行业绩发布会。ROHM总裁东克己表示，台积电退出氮化镓（GaN）代工业务的决定“对我们造成了巨大打击”。台积电计划 2027 年 7 月前退出氮化镓代工业务，称契合长期战略，中国厂商价格压力是因素之一。此举对合作方 ROHM 造成重大打击，其正与台积电子公司 VIS 洽谈，同时评估内部开发等方案。另一合作方纳微半导体已与力积电达成战略合作。2026 年上半年将启动 100V 产品量产，650V 产品也计划在 12-24 个月内完成代工转移。

2025 财年上半年罗姆业绩亮眼，营收同比增 5.3% 且扭亏为盈，结构改革成效显著。其以提升盈利能力为核心，推进中长期战略，目标 2035 年跻身全球前十。面对台积电退出 GaN 代工的冲击，罗姆正洽谈合作并评估多元方案，同时通过 “黄金换铜” 等举措控本，短期业绩有望稳步增长。

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